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Transcend創見 DDR2-800 2GB 筆記型記憶體
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Transcend創見 DDR2-800 2GB 筆記型記憶體

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產品型號:TS256MSQ64V8U
記憶體類型:DDR2 Memory
針腳及模組:200Pin SO-DIMM
頻率:DDR2-800
功能:Unbuffer Non-ECC Memory
容量:2GB
顆粒:128Mx8 (bit) (單顆顆粒容量)
電壓:1.8 V
CL值:6

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1288 市價$3150
數量
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3期0利率 $429/期
6期0利率 $215/期
8期0利率 $161/期
12期0利率 $107/期
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Transcend創見 DDR2-800 2GB 筆記型記憶體

產品特色

創見資訊(Transcend)針對高階的電腦特性而設計,研發製造出512MB/1GB/2GB DDR2高速記憶體模組,適用於搭配高階晶片組的筆記型電腦。創見全系列DDR2記憶體模組皆遵從JEDEC(the Joint Electron Device Engineering Council)的規範,提供極致的效能表現。 DDR2記憶體是DDR記憶體技術新一代的革新。目前DDR2-533/667/800記憶體模組每秒最大頻寬可達10.6GB(雙通道模式下);透過1.8伏特的低工作電壓可節省約50﹪的耗電量;先進的FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封裝提供更佳的散熱性能和更好的電氣特性。DDR2記憶體使用ODT(On-Die Termination)技術可降低高速運作下記憶體信號的回授,進而提高記憶體時脈的極限值。DDR2記憶體現今最高可達單顆4 Gbit的容量,搭配上FBGA封裝方式,讓記憶體模組的容量極限更往上推升。 創見512MB/1GB/2GB DDR2記憶體模組,採用原廠先進FBGA封裝技術所製造之64Mx8顆粒,搭配高可靠度的六層電路板,優越的設計造就了系統的高穩定性和高可靠度,創見512MB/1GB/2GB DDR2記憶體組是高階市場的最佳選擇。

規格說明

     
    記憶體類型: DDR2 Memory
    針腳及模組: 200Pin SO-DIMM
    頻率: DDR2-800
    功能: Unbuffer Non-ECC Memory
    容量: 2GB
    顆粒: 128Mx8 (bit) (單顆顆粒容量)
    電壓: 1.8 V
    CL值: 6

    ※以上規格資料若有任何錯誤,以原廠所公佈資料為準。